IT之家12月11日動靜，三星電子Foundry代工部分高等研究員樸炳宰本周四正在“2022年半導體EUV環球生態系統集會”上揭曉了演講。

　　他示意，到2026年，環球3納米工藝節點代工市場將到達242億美圓范圍，較本年的12億美圓增加將超20倍。

　　今朝，三星電子是獨一一家公布勝利量產3納米芯片的公司，伴隨著三星電子、臺積電、英特爾等半導體大廠入手下手引進EUV設備，工藝技術不斷發展，估計3納米工藝將成為關頭競爭節點。

　　依據Gartner數據，截止今年年底，正在晶圓代工市場中占領最大份額的是5納米和7納米工藝，市場規模369億美圓，將來其份額將逐漸由3納米所庖代。他示意，“跟著14納米FinFET工藝的推出，三星電子曾經上升到代工市場的第二位。”

　　據稱，3納米節點須要新的器件構造以提拔性能，領先實現量產3nm工藝的三星使用了環柵（GAA）晶體管構造的MBCFET技能，較FinFET性能功耗有較著改進。

　　“就FinFET來講，性能跟著引腳數目的增長而進步，但功耗的增長超出了性能的進步幅度”，他表現，“另一方面，MBCFET的效力要高很多，由于它們正在相似的程度上增長了性能和功率。”

　　具體來說，正在FinFET手藝中性能提拔1.3倍但功耗還會跟著上漲2.2倍，而正在MBCFET中，性能進步1.7倍時，功耗只會提升1.6倍，相對來說效力更高。