IT之家12月11日動(dòng)靜，三星電子Foundry代工部分高等研究員樸炳宰本周四正在“2022年半導(dǎo)體EUV環(huán)球生態(tài)系統(tǒng)集會(huì)”上揭曉了演講。

　　他示意，到2026年，環(huán)球3納米工藝節(jié)點(diǎn)代工市場將到達(dá)242億美圓范圍，較本年的12億美圓增加將超20倍。

　　今朝，三星電子是獨(dú)一一家公布勝利量產(chǎn)3納米芯片的公司，伴隨著三星電子、臺積電、英特爾等半導(dǎo)體大廠入手下手引進(jìn)EUV設(shè)備，工藝技術(shù)不斷發(fā)展，估計(jì)3納米工藝將成為關(guān)頭競爭節(jié)點(diǎn)。

　　依據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，截止今年年底，正在晶圓代工市場中占領(lǐng)最大份額的是5納米和7納米工藝，市場規(guī)模369億美圓，將來其份額將逐漸由3納米所庖代。他示意，“跟著14納米FinFET工藝的推出，三星電子曾經(jīng)上升到代工市場的第二位。”

　　據(jù)稱，3納米節(jié)點(diǎn)須要新的器件構(gòu)造以提拔性能，領(lǐng)先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)3nm工藝的三星使用了環(huán)柵（GAA）晶體管構(gòu)造的MBCFET技能，較FinFET性能功耗有較著改進(jìn)。

　　“就FinFET來講，性能跟著引腳數(shù)目的增長而進(jìn)步，但功耗的增長超出了性能的進(jìn)步幅度”，他表現(xiàn)，“另一方面，MBCFET的效力要高很多，由于它們正在相似的程度上增長了性能和功率。”

　　具體來說，正在FinFET手藝中性能提拔1.3倍但功耗還會(huì)跟著上漲2.2倍，而正在MBCFET中，性能進(jìn)步1.7倍時(shí)，功耗只會(huì)提升1.6倍，相對來說效力更高。